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东科发布首款AHB合封芯片
2023-08-03 16:47:40 充电头网

合封氮化镓芯片一经推出,强大的性能优势,很快就取代了传统氮化镓控制器+氮化镓开关管的组合。合封氮化镓芯片通过将控制器,驱动器和功率管集成在一个芯片内部,降低了寄生参数在高频下带来的干扰,降低开关损耗,提高可靠性和开关速度。

合封氮化镓芯片简化了氮化镓器件应用时的外围电路,减少了元件数量,在充电器上应用越来越广泛。反激合封氮化镓芯片满足了百瓦及以下PD快充对于氮化镓的需求,但是对于百瓦以上的应用需求,还是需要更高效率的电源方案。

知名氮化镓合封芯片,同步整流芯片原厂东科在推出了反激合封氮化镓芯片之后,提前布局,推出了行业首款内部集成两颗氮化镓功率管的AHB合封芯片,不对称反激相比传统反激,能够将漏感能量回收利用,实现主开关管的ZVS,同步整流管的ZCS,降低开关损耗对效率的影响,从而提升转换效率。


(相关资料图)

AHB架构相比LLC架构,有如下优点。第一,AHB架构的二次侧为单功率器件拓扑,可以有效降低系统成本;第二,AHB架构的二次侧整流管电压应力远小于传统反激架构,可以采用耐压更低的MOS管作为整流管,极大的降低了系统成本和调试难度,尤其适用在PD快充等需要高输出电压的应用场景。第三,AHB架构中,变压器和谐振电容共同储能,变压器体积可以有效减小。

东科 DK8710Q采用QFN8*8封装,体积小巧且外围元件精简,散热能力强。

东科 DK8710Q内部集成了两颗氮化镓开关管组成半桥,通过控制增添的开关管,回收漏感能量,实现主开关管的ZVS和同步整流管的ZCS,提高转换效率,并降低功率管的应力,减小开关损耗的同时改善电磁干扰。

DK8710Q内置高压启动和安规X2电容放电电路,待机功耗低于50mW,支持最高1MHz开关频率,具备自适应死区时间控制,峰值转换效率达95%。芯片内置高低压输入功率补偿电路,在高低压下最大输出功率一致。

DK8710Q内置输出过压保护、供电过压,欠压保护、过热保护、开环保护,输出过流保护、输出短路保护和输出肖特基异常保护。芯片支持150W输出功率,可满足现阶段USB 充电器 140W输出需求。适用于快充以及笔记本电脑适配器,电视机电源,充电器等大功率应用。

图为DK8710Q典型应用图,为固定电压输出,输出电压通过光耦反馈调节。

东科 DK8710Q合封氮化镓芯片采用QFN8*8封装,芯片底部焊盘用于增强散热。

与1元硬币对比大小。

东科新推出的这款AHB半桥氮化镓芯片内置两个开关管,在合封氮化镓芯片高集成度高可靠性的基础上,将能量充分利用,降低损耗,进一步提升充电器整体的转换效率,降低温升和散热需求,让充电器变得更加便携。

同时DK8710Q的待机功耗低于50mW,能够满足严苛的能效要求,芯片支持宽范围电压输出,极大简化了大功率PD充电器设计。同时搭配PFC电路,输出功率可以达到150W,能够满足现阶段快充,140W输出功率的需求,是一款高集成,高可靠的解决方案。

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